砷化鎵晶圓的材料特性
砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性，作為第二代半導體材料中價格昂貴的一種，被冠以“半導體貴族”之稱，是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。
砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產生芯片崩裂現象，使芯片的晶體內部產生應力損傷,導致產品失效和使用性能降低。
砷化鎵晶圓的應用
用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，可用于生產二極管、場效應晶體管（FET）和集成電路（IC）等，主要應用于高端軍事電子、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。
目前，基于砷化鎵襯底的led發光芯片在市場上有大量需求。
選刀要點
切割砷化鎵晶圓，通常采用輪轂型電鍍劃片刀，選刀不當極易造成晶片碎裂，導致成品率偏低。用極細粒度金剛石（4800#，5000#）規格的刀片，能有效減少晶片碎裂，但切割之前需要進行修刀。
案例實錄
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測試目的
1、對比測試
2、驗證切割品質
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材料情況
切割產品 | 砷化鎵外延片 |
產品尺寸 | 4寸 |
產品厚度 | 100μm |
膠膜類型 | 藍膜 |
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修刀參數
修刀板型號 | 5000# |
尺寸規格 | 75x75x1mm |
修刀速度 | 8/10/15 mm/s |
修刀刀數 | 3種速度各5刀 |
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工藝參數
切割工藝 | 單刀切透 |
設備型號 | DAD322 |
主軸轉速 | 38K rpm |
進刀速度 | CH2:25mm/s CH1:35mm/s |
刀片高度 | CH2:0.08mm CH1:0.07mm |
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樣刀準備
SSTYE 5000-R-90-AAA
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樣刀規格
刀片型號 | 5000-R-90 AAA |
金剛石粒度 | 5000# |
結合劑硬度 | R（硬） |
集中度 | 90 |
切痕寬度 | 0.015-0.020 |
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測試結果
1、刀痕良好，＜18μm，在控制范圍內。
2、正面崩邊＜3μm。
3、背面崩邊＜15μm，在控制范圍內。
切割效果
